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[실시간뉴스]삼성 화성팹 확장…D램 병목 뚫는다

온카뱅크관리자

2026-07-27 17:57:37

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> ■ 생산시설 일원화·증설 추진 천안 엔드팹, 화성 통합 및 증설 연말까지 생산 능력 15% 확대 애플 등 빅테크 고객사 수요 충족 
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 <img alt="삼성전자 화성캠퍼스 팹(Fab) 모습. 삼성전자는 화성캠퍼스 제1단지(H1)에 범용 D램용 엔드팹(End-Fab) 라인을 조성하고 있다. 삼성전자" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202607/27/seouleconomy/20260727174329220xkqz.png" data-org-width="1200" dmcf-mid="b26VNp3GT1" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202607/27/seouleconomy/20260727174329220xkqz.png" width="658">
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 삼성전자 화성캠퍼스 팹(Fab) 모습. 삼성전자는 화성캠퍼스 제1단지(H1)에 범용 D램용 엔드팹(End-Fab) 라인을 조성하고 있다. 삼성전자
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 삼성전자가 화성 사업장에 D램 생산시설을 일원화하면서 증설도 추진해 범용 D램 공급을 늘린다. 이는 올해 상반기에만 80% 이상 가격이 치솟은 범용 D램(DDR4 기준)의 생산능력을 극대화하는 한편 메모리 공급난에 중국 업체의 D램 도입을 검토하는 애플 등 빅테크 고객사의 수요를 최대한 충족시키려는 포석으로 읽힌다. 
 27일 업계에 따르면 삼성전자(005930) 메모리제조기술센터는 이달 태스크포스(TF)를 구성해 화성캠퍼스 제1단지(H1)에 범용 D램 엔드팹 구축에 착수했다. 화성 제2단지(H2)와 천안캠퍼스에 분산된 엔드팹 설비를 H1으로 이전하는 동시에 남는 공간에 생산라인을 증설하기 위해서다.
 엔드팹은 메인팹에서 만들어진 트랜지스터 등 메모리 소자를 연결하는 역할을 하며 웨이퍼 제조 전공정의 마지막 단계다. 화성캠퍼스는 그간 메인팹을 중심으로 생산시설을 늘려 엔드팹이 천안에 분산돼 있었다. 메인팹과 엔드팹이 떨어져 있어 D램 생산에 소요되는 시간이 길 수밖에 없어 범용 D램 공급을 늘리는 데 발목을 잡았다. 
 전영현 삼성전자 반도체(DS) 부문장은 최근 구형 메모리 라인을 철거해 유휴 클린룸이 생긴 화성 H1의 활용 방안을 검토하다 새 엔드팹 거점으로 확정했다. 신규 팹을 짓는 대신 기존 클린룸을 활용해 투자비와 공사 기간을 줄여 D램 공급을 빠르게 확충할 수 있기 때문이다.
 삼성의 이번 재편은 단순한 생산능력 확대를 넘어 범용 D램의 전·후단 생산 체계를 한 곳에 집중해 효율성을 대폭 높인 것이 특징이다. 그간 화성 메인팹에서 만들어진 소자를 천안의 엔드팹으로 옮겨 작업을 마무리하면서 생산 비효율이 적지 않았기 때문이다. 삼성은 건설 단계부터 메인팹과 엔드팹을 한 사업장에 배치한 평택캠퍼스의 첨단 생산 체제를 화성에도 이식하게 된 셈이다.
 업계 관계자는 “연말쯤 삼성전자의 범용 D램 생산능력이 연초보다 약 15% 늘어날 것으로 예상된다”며 “메인팹과 엔드팹을 한곳에 모으면 웨이퍼를 후공정 라인에 일괄 이송할 수 있어 물류 효율도 높아진다”고 말했다.
 이석진 기자 sj@sedaily.com
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