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[IT뉴스]SK하이닉스, 美 인디애나서 차세대 HBM 첫 삽… 2029년 하반기 양산 목표

온카뱅크관리자

2026-08-28 01:27:25

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> 40억 달러 투자, 2028년 클린룸 완공 ‘메이드 인 USA’ HBM, 엔비디아 등에 공급 예정 퍼듀대와 R&amp;D 협력… 7000명 고용 효과 
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 SK하이닉스 인디애나팹 임시사무소. /연합뉴스
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 ##SK하이닉스#가 미국에서 첨단 고대역폭 메모리(HBM)를 양산하기 위한 첫번째 생산기지를 짓는다. 연간 수십만장 규모의 인공지능(AI) 핵심 부품이 미국 현지에서 공급될 전망이다.
 SK하이닉스는 27일(현지 시각) 미국 인디애나주 웨스트라피엣에서 차세대 HBM 어드밴스드 패키징 생산공장(팹) 기공식을 개최했다고 이날 밝혔다.
 이번 인디애나 팹은 SK하이닉스가 미국에서 구축하는 첫 번째 생산 거점이다. SK하이닉스는 2028년 10월까지 패키징 공정 공간인 클린룸 조성을 마무리하고 2029년 하반기부터 본격적인 HBM 양산에 돌입한다는 계획이다.
 그동안 미국 내 생산 이력이 없던 HBM을 한국 기업이 처음으로 생산하는 것이다. 엔비디아를 비롯한 현지 주요 빅테크 기업들은 미국에서 생산한 HBM을 공급받게 된다.
 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 기공식에 참석해 신규 팹의 HBM 제조 역량이 연 수십만장에 달할 것이라고 설명했다. 매년 D램(RAM) 웨이퍼 수십만장을 공급받아 후공정 단계를 거쳐 HBM으로 완성하는 구조다. 현재 업계가 추정하는 SK하이닉스의 연간 D램 생산량은 600만장 수준이며 이 가운데 일부가 HBM 제조에 투입된다.
 곽 사장은 “인디애나 프로젝트는 미 최초 HBM 생산 거점을 구축하는 것”이라며 “‘메이드 인 USA’ HBM을 처음 공급하는 핵심 거점이자 미국 반도체 공급망을 강화하고 경제·안보에 기여하는 주요 기반이 될 것”이라고 말했다.
 SK하이닉스는 이번 건설 프로젝트에 약 40억 달러를 투입한다. 미국 정부 역시 반도체 지원법(Chips Act·칩스법)을 바탕으로 최대 4억5000만 달러의 보조금과 5억 달러 규모의 대출을 지원하기로 했다.
 인디애나 팹은 국내에서 출하된 D램 칩을 적층·결합해 HBM을 만드는 어드밴스드 패키징(후공정) 시설과 함께 차세대 HBM 연구·개발(R&amp;D) 기능을 수행한다.
 현재 SK하이닉스가 공급하는 최신 규격은 D램 12장을 쌓아 올린 6세대(HBM4) 제품이다. 이는 엔비디아의 최첨단 AI 가속기 ‘베라 루빈’에 탑재되고 있다.
 엔비디아가 AI 가속기의 성능 개량을 지속하는 만큼 인디애나 팹에서 제조될 HBM은 6세대를 넘어선 차세대 라인업이 될 가능성이 클 것으로 보인다. SK하이닉스는 현재 7세대(HBM4E) 제품 개발을 진행 중이다.
 SK하이닉스는 차세대 기술 개발과 검증을 위해 엔지니어링 분야에서 강점을 지닌 미국 퍼듀대학교와 연구·개발(R&amp;D) 협력 양해각서(MOU)를 체결했다. 이를 통해 퍼듀대의 우수 연구 인력을 적극 확보할 방침이다. 공장 부지는 웨스트라피엣 내 퍼듀대 소유 용지에 위치한다. 팹 가동이 본궤도에 오르면 약 1000명의 인력이 상주할 예정이다.
 곽 사장은 공장 건설·운영 인력과 100여개 협력 소재·부품·장비 업체들을 합산해 약 7000명 규모의 직·간접 고용 창출 효과가 있을 것이라고 설명했다.
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