【토카티비-totocasinocomunity】 보증업체안전놀이터추천홍보 : 프로그램제작판매제작의뢰 : 스포츠분석 : 무료스포츠중계tv : 섹시bj움짤 : 스포츠뉴스 : 안구정화 놀이터홍보 놀이터후기공유 먹튀피해사례공유

로그인

글쓰기

[IT뉴스]韓산업 '마지막 보루' D램마저 … 中 기술굴기에 따라잡힐 판

온카뱅크관리자

2026-10-12 17:37:25

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> CXMT 신기술 연내 출시 선언 D램 효율 극대화 나선 중국 데이터 저장용량 높이기위해 셀 차지하는 면적 6칸→4칸 글로벌 메모리 수급난 지속에 신기술 양산도입 주저하는 韓 R&amp;D 투자 골든타임 놓칠수도 
 <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> 
 <section dmcf-sid="GZ50se5TyR">
 <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="d06c77120e579758660bdd0e34507ce6fa58eee27835e2631ffc93660a95f53e" dmcf-pid="H51pOd1yTM" dmcf-ptype="figure">
 <img class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202610/12/mk/20261012173605382fgbr.jpg" data-org-width="1000" dmcf-mid="YQ6R0I6bye" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img2.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202610/12/mk/20261012173605382fgbr.jpg" width="658">
 </figure>
 창신메모리(CXMT)가 셀 크기를 대폭 줄여 성능을 끌어올린 차세대 포에프스퀘어(4F²) 구조 D램을 올해 말께 양산하겠다고 선언한 배경은 일종의 도발이라는 평이 우세하다. 반도체 경쟁에서 중국 기술력이 삼성전자나 SK하이닉스 등 한국 기업보다 앞선다고 과시하는 마케팅이자, 다가올 차세대 3차원(3D) D램 시장의 주도권을 선제적으로 잡겠다는 포석으로 풀이된다. CXMT는 이미 LPDDR6나 다른 제품군에서도 동일한 행보를 보인 바 있다.
 차오칸위 CXMT 사장은 지난 10일 중국 상하이에서 열린 '제4회 집적회로 및 칩렛 콘퍼런스'에서 4F² D램 구조를 적용한 차세대 DDR5 RDIMM 서버용 메모리를 연말까지 출시할 것이라고 밝혔다. 또 자신들이 독자 개발한 수직형 서라운딩 게이트(VSG) 트랜지스터를 통해 D램 성능을 높일 수 있다고 밝혔다. CXMT는 이를 위해 기존 반도체 제조 공정의 핵심 단계도 재설계했다며 단순히 기술을 넘어 양산 단계가 임박했음을 시사했다.
 반도체 회로를 아주 작게 그리는 기술은 한계에 부딪힌 상태다. 이에 따라 업계는 다이내믹 램(D램)의 기본 구조가 기존 식스에프스퀘어(6F²)에서 4F²로 넘어갈 것으로 본다. 나중에는 D램을 고층 빌딩처럼 위로 층층이 쌓아 올리는 3D D램 시대가 올 전망이다.
 4F² 구조란 반도체 회로의 기본 단위(F)를 기준으로, 데이터를 저장하는 방(셀)의 차지 면적을 기존 6칸에서 4칸으로 확 줄인 설계 기술이다. 똑같은 공간에 더 많은 방을 욱여넣기 위해 평면에 눕혀놓았던 부품들을 위로 꼿꼿이 세우는 방식을 쓴다. 이 구조를 쓰면 방 크기가 줄어들어 반도체 용량과 성능이 크게 좋아진다.
 삼성전자와 SK하이닉스는 일찌감치 4F² D램을 연구해 왔으나 이를 양산에는 도입하지 않았다. 제조 공정 자체가 달라져 수율을 '0'에서부터 높여야 하는 등 감당할 리스크가 크기 때문이다. 특히 최근처럼 메모리 반도체 공급 부족이 일어나는 상황에서는 새로운 구조를 도입하는 과정에서 생산량이 줄어들 수도 있다. 김진국 전 SK하이닉스 최고기술책임자(CTO)는 "현재 메모리 공급 부족이 오래갈 것으로 예상되면서 기술력보다는 생산 능력이 더 중요한 시장으로 바뀌고 있다"며 "새로운 기술을 도입하는 과정에서 발생하는 생산 손실이 클 수밖에 없다"고 설명했다.
 무엇보다 CXMT는 우리 반도체 기업들과 달리 ASML의 극자외선(EUV) 노광장비를 사용할 수 없다. 이 때문에 새로운 기술을 도입했을 때 수율을 높이기 더욱 어려울 것이라는 지적이다. CXMT의 4F² 구조 D램이 실제 위협이 되기보다 일종의 기술 마케팅으로 받아들여지는 이유다. 하지만 이는 CXMT가 공격적으로 새로운 기술을 도입하고 연구개발(R&amp;D)을 가속화하는 모습을 보여준다. 4F² 구조의 다음 단계로 예상되는 3D D램은 생산 시 EUV 장비 영향이 크지 않다. 따라서 CXMT가 먼저 개발해 단번에 D램 시장 판도를 바꿀 수 있다는 평이 나온다.
 김 전 CTO는 "지금은 모든 반도체 기업이 돈을 벌고 있기 때문에 이 시기에 어떻게 투자하고 기술을 개발하느냐에 따라 시장 판도가 완전히 바뀔 수 있다"며 "한국의 반도체 기업들에 중요한 '골든타임'이 바로 지금"이라고 강조했다. CXMT는 이미 LPDDR6에서도 한국 기업들보다 앞서 제품을 개발했다고 선언한 상태다. 
 한편 중국 화웨이는 미국 퀄컴과 수년간에 걸친 특허 상호사용 계약을 맺었다. 이달 5일 양사는 5G를 포함해 컴퓨팅·인공지능(AI)·네트워크 등 여러 영역에서 특허 상호사용을 허가하기로 했다는 내용을 발표했다. 
 블룸버그는 앞서 이번 특허 사용 허가 계약에 화웨이가 최근 발표한 '로직 폴딩' 칩 제조 기술이 포함됐다고 보도했으나, 퀄컴은 이 계약이 로직 폴딩 기술과 무관하다고 설명했다. 
 [이덕주 기자]
 </section> 
 </div> 
 Copyright © 매일경제 &amp; mk.co.kr. 무단 전재, 재배포 및 AI학습 이용 금지

댓글 총 0개

업체홍보/구인 더보기

놀이터홍보 더보기

지식/노하우 더보기

판매의뢰 더보기

포토 더보기