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[IT뉴스]삼성·SK하이닉스에 도전장 낸 中 CXMT…“D램 초미세 공정 선도하겠다”

온카뱅크관리자

2026-10-20 12:17:25

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 중국 반도체 제조업체 CXMT의 저전력 더블데이터레이트 5X(LPDD5X)의 모습. CXMT 웹사이트 캡처.
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 삼성전자와 SK하이닉스가 주도하는 글로벌 D램 시장을 추격 중인 중국 창신메모리(CXMT)가 초미세 공정 기술을 앞세워 시장 주도권 경쟁에 뛰어들겠다는 의지를 밝혔다. 
 인공지능(AI) 확산으로 D램 시장이 빠르게 성장할 것으로 예상되는 가운데 허페이와 베이징 공장의 높은 가동률과 주문 증가를 기반으로 첨단 D램 제품군을 확대하겠다는 전략이다. 
 20일 중국 매체 과창판일보에 따르면 CXMT는 전날 임시 주주총회에서 “현재 거시적·산업적 환경을 종합해 볼 때 D램 산업의 장기적 발전에 대해 충분한 자신감을 유지하고 있다”고 밝혔다. 
 CXMT는 AI 붐에 힘입어 2025∼2030년 D램 시장의 연평균 성장률이 38.39%에 달할 것으로 전망했다. 
 회사는 자체 연구개발(R&amp;D)과 이른바 ‘세대를 뛰어넘는 R&amp;D’를 병행하며 제품과 공정 기술 경쟁력을 끌어올리겠다는 방침이다. 
 CXMT는 이미 1∼5세대 공정 기술 플랫폼의 제품 세대교체를 마쳤다고 밝혔다. 
 제품군도 기존 모바일용 LPDDR4X에서 DDR5와 DDR5X, 최신 LPDDR6까지 확대했으며 일부 핵심 기술은 세계 선진 수준에 도달했다고 주장했다. 
 특히 향후 경쟁력의 핵심으로 초미세 공정을 지목했다. 
 CXMT는 “메모리 제조의 초미세화 영역에서 ‘무인 지대’로 깊이 들어갈 것”이라며 “공정 혁신을 통해 기술 병목을 돌파하겠다”고 강조했다. 
 회사는 이미 ‘4중 자기 정렬 패터닝 공정’(SAQP)을 도입해 5세대 기술 플랫폼에서 업계 최선두 공정과 비슷한 수준에 올라섰다고 주장했다. 
 이를 통해 메모리 집적도와 부품 성능도 크게 개선됐다는 설명이다. 
 D램 셀 면적을 줄이는 ‘4F²’ 아키텍처에서도 주요 기술적 진전을 이뤘다고 밝혔다. 
 CXMT는 지난 8월 LPDDR6 양산을 공식화한 데 이어 지난달에는 5세대 D램 공정의 양산에도 들어갔다. 
 연말까지 해당 아키텍처를 적용한 차세대 서버용 제품도 선보일 계획이다. 
 생산라인 가동 상황도 양호하다고 밝혔다. 
 CXMT는 안후이성 허페이와 베이징에 있는 웨이퍼 공장이 높은 생산능력 이용률을 유지하고 있으며 주문도 충분히 확보한 상태라고 설명했다. 
 다양한 제품군을 통해 시장 수요 변화에도 대응할 수 있다는 게 회사 측 입장이다. 
 실적도 가파르게 증가하고 있다. 
 CXMT는 지난 16일 실적 예고를 통해 올해 1∼3분기 매출이 전년 동기 대비 725∼741% 증가할 것으로 전망했다. 
 3분기 매출만 놓고 보면 전년 같은 기간보다 589∼619% 늘어난 것으로 추산됐다. 
 회사는 실적 개선의 배경으로 D램 업황 회복과 높은 설비 가동률, 제품 구성 개선 등을 꼽았다. 
 다만 시장에서는 수익성에 대한 경계감도 나오고 있다. 
 CXMT의 순이익 증가폭이 전 분기 대비 계속 둔화하고 있다는 지적이 제기되면서 실적 예고 이후 첫 거래일인 19일 주가는 7.77% 급락했다. 
 이에 따라 CXMT의 시가총액은 다시 3조위안 아래로 내려갔다. 
 CXMT가 첨단 D램 공정과 제품 양산 속도를 높이면서 삼성전자와 SK하이닉스 등 기존 글로벌 메모리 업체들과의 기술 경쟁도 한층 치열해질 전망이다. 
 정재홍 기자 hongj@joongang.co.kr
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