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[IT뉴스]삼성 파운드리 4나노 ‘풀가동’… 2나노 빅테크 수주 지연 속 5나노 영업 확대

온카뱅크관리자

2026-10-20 15:57:25

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div>  <strong class="summary_view" data-translation="true">2나노 빅테크 계약 지연 속 기존 공정 가동률 상승<br>4·5나노 중심 수익성 개선… 파운드리 적자 축소 기대</strong> 
        <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> 
         <section dmcf-sid="UfHZGLtWo4">
          <p contents-hash="ed23d451b4afa1d95cedc3886b7f317669aaf115e11509ceb996a2e5c5693a53" dmcf-pid="u4X5HoFYgf" dmcf-ptype="general">삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산)사업부가 4나노미터(㎚·10억분의 1m) 공정의 생산능력을 사실상 모두 가동하면서 5나노 공정을 활용한 신규 고객사 확보에 나섰다. 최첨단 2나노 공정에서는 글로벌 빅테크 기업과의 계약이 지연되고 있지만, 상대적으로 수율(양품 비율)이 안정된 4·5나노 공정을 중심으로 가동률을 높여 수익성을 개선하려는 움직임이다.</p>
          <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="361269f381a58f2193f6b9cd0816989f7a9676dd3e1c609edcf246ed4a33c2c0" dmcf-pid="78Z1Xg3GgV" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img alt="14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 제28회 반도체대전(SEDEX 2026)의 삼성전자 부스에 파운드리 공정기술 관련 2나노 게이트올어라운드(GAA) 웨이퍼 등이 전시돼 있다./연합뉴스" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202610/20/chosunbiz/20261020155143128ojnj.jpg" data-org-width="5000" dmcf-mid="p2U7pDB3a8" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img2.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202610/20/chosunbiz/20261020155143128ojnj.jpg" width="658"></p>
           <figcaption class="txt_caption default_figure">
            14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 제28회 반도체대전(SEDEX 2026)의 삼성전자 부스에 파운드리 공정기술 관련 2나노 게이트올어라운드(GAA) 웨이퍼 등이 전시돼 있다./연합뉴스
           </figcaption>
          </figure>
          <p contents-hash="85f606ef0264bc25fb2e5474ef18eed5bdac8b33a693f617879bc576091725f0" dmcf-pid="z65tZa0Ho2" dmcf-ptype="general">20일 반도체 업계에 따르면 삼성전자 파운드리사업부의 4나노 공정은 최근 고객사 주문이 늘어나면서 생산능력이 사실상 포화 상태에 이른 것으로 전해졌다. 이에 삼성전자는 5나노 공정에서도 신규 고객사 확보를 위한 영업을 확대하고 있다.</p>
          <p contents-hash="53051056954b46aca30926e5765dc9107eede66e05fb44d03e849592e7051c23" dmcf-pid="qP1F5NpXA9" dmcf-ptype="general">4나노는 스마트폰용 애플리케이션프로세서(AP)부터 인공지능(AI) 반도체, 고성능컴퓨팅(HPC)용 칩까지 폭넓게 활용되는 공정이다. 삼성전자는 그동안 3나노 이하 최첨단 공정에서 대만 TSMC와 경쟁하는 데 집중해 왔지만, 최근에는 4나노를 중심으로 생산시설 가동률을 끌어올리고 있다.</p>
          <p contents-hash="9a1cae36f2a576fc78faa0a0e8db0890b927a811db6a4b898d5787f8df4f92c7" dmcf-pid="BQt31jUZaK" dmcf-ptype="general">특히 AI 반도체 시장이 확대되면서 최첨단 공정을 사용하지 않아도 되는 반도체의 위탁생산 수요가 늘어나고 있다. 최첨단 공정은 높은 성능과 전력 효율을 구현할 수 있지만, 설계와 제조 비용이 많이 든다. 반면 4·5나노 공정은 상대적으로 제조 비용을 낮추면서도 높은 성능을 확보할 수 있어 일부 AI 추론용 반도체와 주문형 반도체(ASIC) 등에 활용할 수 있다.</p>
          <p contents-hash="f2db60cf311c3642341a300252b8efb1c3cb65728d297797d787c058779f9c1e" dmcf-pid="bxF0tAu5ob" dmcf-ptype="general">삼성전자가 5나노 공정의 신규 고객사 확보에 나선 것도 이 같은 수요 변화에 대응하기 위한 것으로 풀이된다. 4나노 공정의 생산능력이 포화 상태에 가까워지면서 고객사의 성능과 비용 요구에 따라 5나노 공정을 대안으로 제시할 수 있기 때문이다. 기존 생산시설의 활용도를 높일 수 있다는 점도 장점이다.</p>
          <p contents-hash="61cdad9a13fbfeb42fe2dced4fe675bace497046191ec60a092fa9bc6714fec3" dmcf-pid="KN9VKh8BjB" dmcf-ptype="general">반면 차세대 주력 공정인 2나노에서는 대형 고객사 확보가 여전히 과제로 남아 있다. 삼성전자는 글로벌 빅테크 기업과 2나노 공정 기반 반도체 생산 계약을 논의하고 있지만, 일부 협상은 당초 예상보다 늦어지고 있는 것으로 알려졌다. 최첨단 공정은 수율뿐 아니라 전력 효율, 설계자산(IP), 안정적인 양산 능력 등을 종합적으로 검증해야 해 실제 계약과 양산까지 상당한 시간이 소요된다.</p>
          <p contents-hash="9f43d5ca7b395395647e059443ccd76bab2421a2d6743d183635c8f4ef0c183c" dmcf-pid="9j2f9l6boq" dmcf-ptype="general">삼성전자는 2나노 공정을 차세대 파운드리 사업의 핵심 성장동력으로 육성하고 있다. 3나노에서 처음 도입한 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터 구조를 2나노에서도 활용해 전력 효율과 성능을 개선한다는 전략이다. 다만 기술 개발과 별개로 대형 고객사 확보 및 양산 실적을 통해 공정 경쟁력을 입증해야 하는 상황이다.</p>
          <p contents-hash="66597f00b741e872768394c652a9e8da8df073a4112e6a28bec1a778eb373e5f" dmcf-pid="2AV42SPKoz" dmcf-ptype="general">업계에서는 4나노 가동률 상승과 5나노 신규 수주가 삼성 파운드리의 단기 실적 개선에 기여할 것으로 보고 있다. 파운드리 사업은 생산시설 투자에 따른 고정비 부담이 커 가동률이 수익성에 직접적인 영향을 미친다. 특히 첨단 공정 개발과 설비투자가 지속되는 상황에서 기존 생산라인의 가동률을 높이는 것이 적자 축소의 핵심 변수로 꼽힌다.</p>
          <p contents-hash="96c8dcbc61429304d49ea86fa92ba9523847ccc6e026b71bdd8744ced23072c2" dmcf-pid="Vcf8VvQ9j7" dmcf-ptype="general">- Copyright ⓒ 조선비즈 &amp; Chosun.com -</p>
         </section> 
        </div> 
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